国内全职 434 纳米材料与器件博士

性别：男

出生年月：1997.07

毕业时间：2024.06

毕业院校：省部共建高校

专业：物理学

研究方向：钙钛矿光电器件/薄膜材料/器件研发

论文：7篇

专利：1项

教育经历：

2015.09-2024.06 省部共建高校物理学本硕博

科研项目：

1.项目描述：基于忆阻器类脑计算芯片，突破传统架构，实现高效高精度计算与识别。

2.项目描述：制备高稳定性高效率无机太阳能电池。

3.项目描述：制备准二维钙钛矿光电忆阻器并研究其突触特性。

4.项目描述：制备钙钛矿光电探测器并测试其光电性能。

5.项目描述：制备柔性稳定的 CsPbI2Br 钙钛矿电池并测其光电性能和稳定性。

专业技能：

1，本科阶段主要学习半导体物理，CAD工程制图，电路理论基础，模拟电路以及数字电路。

2，研究生重点研究二维钙钛矿光电探测器、准二维钙钛矿阻变存储器、多功能器件等，同时对钙钛矿太阳能电池以及LED也有一定研究。

3，能够熟练掌握钙钛矿薄膜的制备以及对应的器件制备（刚性/柔性）；擅长分析钙钛矿光电探测器的光电性能以及阻变存储器的

电学性能；擅于分析各类钙钛矿薄膜的表征；理解一些优化器件性能的策略（掺杂、离子液体、钝化等）；擅长对器件的复杂机制进行深入的分析。

4，数据分析软件与科研绘图软件：Excel；Word；PPT；Origin 2021； Zotero 等

5，对半导体相关设备仪器的操作技能：场发射扫描电子显微镜 (JSM-7100F)；X 射线衍射仪 (Rigaku, RINT-2500)；稳态瞬态荧光光谱仪 (Edinburgh FLS1000)；半导体分析仪（Agilent B1500A、Keysight B1500）；紫外-可见-近红外（UV-VIS-NIR）吸收光谱等各类光电器件测试所需仪器。