国内 全职 242 材料与化工博士

性别:

年龄:27岁

毕业时间:2024.06

毕业院校:综合性研究机构

专业:材料与化工

研究方向:InP基半导体激光器、半导体光放大器(SOA)及InP基光子集成芯片设计及制作.

专利:2项

 

教育经历:

2019.09-2024.06 综合性研究机构 材料与化工 硕博连读

2015.09-2019.06 南京邮电大学 材料物理 本科

 

项目经历

高功率1.5微米波段InP掩埋激光器

一种具有表面光栅的掩埋结构InP基激光器。

高速光开关单片集成的1.5微米波段 DFB 激光器。

高速调制SOA单片集成的1.5微米波段高功率激光器。

 

专业技能:

主修课程:半导体器件物理学、半导体光子学、半导体工艺与制造技术、光纤通信技术、集成光电子学等;

软件仿真:熟练掌握crosslight、Lumerical、Rsoft等光电器件仿真软件,L-Edit 版图设计软件,Origin、Matlab等软件的使用;

材料外延:熟练掌握MOCVD设备操作,在InP基量子阱(MQW)激光器材料及掩埋异质结(BH)材料生长方面具有丰富的经验,熟练掌握XRD及PL测试等材料表征技术。

器件工艺:熟练掌握InP基光子(集成)集成芯片制作工艺,包括光刻、材料刻蚀、PECVD、SEM、台阶仪、溅射金属、芯片减薄、退火等;

芯片测试:熟练掌握各项光子(集成)芯片测试技术,包括 PIV、光谱、光谱线宽、小信号调制响应、大信号眼图、误码及远场等。