国内全职 035 微电子学与固体电子学博士

性别：男

出生年月：1995.12

预计可上岗时间：2024.06

毕业院校：中科院微电子所

专业：微电子学与固体电子学

研究方向：太赫兹 InP HEMT器件和 MMIC电路，对 III-V族化合物半导体射频器件机理、器件工艺和模型有深入了解。熟悉射频电路原理、设计及测试分析的相关理论。

论文：5篇

专利：1项

教育经历：

中科院微电子所微电子学与固体电子学博士

华北电力大学应用物理学学士

项目经历

主要工作：参与开发Si02 硬掩模控制栅槽宽度的工艺，研究栅槽宽度以及非对称栅槽对器件性能的影响；探索了电子束曝光线条及剂量对栅长的研究，开发了适用于太赫兹波段单片集成电路的钝化工艺。

主要工作：协助探索新的栅金属体系；研究了高 In 组分的器件，同时建立带有碰撞电离特性的模型；设计了三级级联的电感型源简并共源放大电路

专业技能：

掌握版图设计及相应工具（L-Edit）；电磁仿真工具（HFSS）；半导体工艺器件仿真工具（SentaurusTCAD）；器件模型及电路设计工具（ADS，Cadence）。
熟练掌握射频微波半导体器件结构、工艺及测试分析，掌握 III-V 族化合物半导体器件原理、建模和电路设计（包括 PA，LNA，分频器等）。
英语 CET 6。
独立流片经历